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NB003PG

型号:NB003PG

描述:P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

厂商:DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

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PDF大小:1585.7 K

页数:5 页

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NB00038

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厂商 型号 描述 页数 下载

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NB06QSA065_15 SBD 1 页

NI
NB06QSA045_15 SBD 1 页

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NB06QSA035_15 SBD 1 页

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NB06HSA12_15 SBD 1 页

NIEC
NB06QSA065 Schottky Barrier Diode 1 页

NIEC
NB06QSA045 Schottky Barrier Diode 1 页

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NB06HSA12 Schottky Barrier Diode 1 页

KSS
NB06QSA065 Schottky Barrier Diode 7 页

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NB06QSA045 Schottky Barrier Diode 7 页

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NB06QSA035 Schottky Barrier Diode 7 页

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NB06HSA065 Schottky Barrier Diode 7 页

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NB06HSA12 Schottky Barrier Diode 7 页

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NB06HSA08 Schottky Barrier Diode 7 页

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NB06HA20 Schottky Barrier Diode 7 页

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NB06HA15 Schottky Barrier Diode 7 页
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