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SI4133G-BT

型号：SI4133G-BT

描述：DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS

厂商：SILABS [Silicon Laboratories]

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PDF大小：469.76 K

页数：32 页

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MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
剪切带（CT）: ￥14.98000,卷带（TR）: ￥7.59520
产品状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.8 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1970 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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SI4112-BTR	北京中其伟业科技有限公司	500	-	-	最新批号	原装现货	询价
SI4112-GM	北京中其伟业科技有限公司	500	-	-	最新批号	原装现货	询价

厂商	型号	描述	页数
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