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QPD2731EVB1.0

型号：QPD2731EVB1.0

描述：2.5 ??2.7 GHz, 110 W / 220 W, 48 V, Asymmetric Doherty

厂商：TRIQUINT [TriQuint Semiconductor]

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PDF大小：1138.08 K

页数：11 页

厂商	型号	描述	页数
TRIQUINT	QPD2195PCB4B01	400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	12 页
TRIQUINT	QPD2195SR	400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	12 页
TRIQUINT	QPD2194PCB4B01	300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	14 页
TRIQUINT	QPD2195SQ	400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	12 页
TRIQUINT	QPD2194SR	300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	14 页
TRIQUINT	QPD2731	2.5 ??2.7 GHz, 110 W / 220 W, 48 V, Asymmetric Doherty	11 页
TRIQUINT	QPD2195S2	400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	12 页
TRIQUINT	QPD2194SQ	300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	14 页
TRIQUINT	QPD2195	400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	12 页
TRIQUINT	QPD2194S2	300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	14 页
TRIQUINT	QPD2194	300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	14 页
TRIQUINT	QPD1025LEVB1	1500 W, 65 V, 1.0 ??1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor	18 页
TRIQUINT	QPD1025LS2	1500 W, 65 V, 1.0 ??1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor	18 页
TRIQUINT	QPD1025L	1500 W, 65 V, 1.0 ??1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor	18 页
TRIQUINT	QPD1025EVB1	1500 W, 65 V, 1.0 ??1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor	18 页

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