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PDF资料 > IXTA1N80 PDF资料

IXTA1N80

型号：IXTA1N80

描述：High Voltage MOSFET

厂商：IXYS [IXYS Corporation]

下载PDF

PDF大小：60.97 K

页数：2 页

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型号IXTA96P085T-TRL参数

IXYS
MOSFET P-CH 85V 96A TO263
剪切带（CT）: ￥54.53000,卷带（TR）: ￥34.14876
产品状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 85 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 96A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 48A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13100 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 298W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AA
封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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IXTA05N100	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	IXYS	原装 \|TO-263	最新批次	-	询价

厂商	型号	描述	页数	下载
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