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PDF资料 > SUP85N06 PDF资料

SUP85N06

型号：SUP85N06

描述：N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET

厂商：VISHAY [Vishay Siliconix]

下载PDF

PDF大小：49.24 K

页数：5 页

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型号SUP85N10-10-GE3参数

Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
管件: ￥53.30000
产品状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6550 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.75W（Ta），250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: -
封装/外壳: TO-220-3

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