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PDF资料 > SD2114T200L1R0 PDF资料

SD2114T200L1R0

型号：SD2114T200L1R0

描述：Schottky Barrier Rectifier Diode

厂商：AVX [AVX Corporation]

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PDF大小：478.65 K

页数：7 页

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型号SD211DE TO-72 4L参数

Linear Integrated Systems, Inc.
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
散装: ￥60.75000
产品状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，25V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 欧姆 @ 1mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 1μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: +25V，-300mV
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-72-4
封装/外壳: TO-206AF，TO-72-4 金属罐

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