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PDF资料 > SIA438EDJ PDF资料

SIA438EDJ

型号：SIA438EDJ

描述：Halogen-free According to IEC 61249-2-21

厂商：VISHAY [Vishay Siliconix]

下载PDF

PDF大小：114.24 K

页数：7 页

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型号SIA485DJ-T1-GE3参数

Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
剪切带（CT）: ￥4.68000,卷带（TR）: ￥1.64456
系列: -
产品状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 6.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 155 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 15.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK? SC-70-6
封装/外壳: PowerPAK? SC-70-6

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型号	供应商	数量	厂商/品牌	封装	批号	说明	联系
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SIA411DJ-T1-GE3	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	6000	VISHAY SILICONIX	-	-	-	询价
SIA411DJ-T1-GE3	北京中其伟业科技有限公司	6000	VISHAY SILICONIX	-	-	-	询价
SIA411DJ-T1-GE3	首天国际（北京）公司	6000	VISHAY SILICONIX	-	-	-	询价
SIA411DJ-T1-GE3	北京耐芯威科技有限公司	6000	VISHAY SILICONIX	-	-	-	询价
SIA414DJ-T1-GE3	首天国际（深圳）科技有限公司	6000	VISHAY SILICONIX	-	-	-	询价

厂商	型号	描述	页数	下载
VISHAY	SIA477EDJ	P-Channel 12 V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SIA462DJ	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SIA450DJ	N-Channel 240-V (D-S) MOSFET	7 页
VISHAY	SIA448DJ	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SIA440DJ	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SIA439EDJ	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SIA427ADJ	P-Channel 8 V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SIA411DJ	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	7 页
VISHAY	SIA425EDJ	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	7 页
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VISHAY	SIA461DJ	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SIA453EDJ	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	9 页
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VISHAY	SIA427DJ	P-Channel 8 V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SIA418DJ	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	9 页

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