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PDF资料 > SI8809EDB PDF资料

SI8809EDB

型号：SI8809EDB

描述：P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

厂商：VISHAY [Vishay Siliconix]

下载PDF

PDF大小：145.13 K

页数：8 页

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型号SI8824EDB-T2-E1参数

Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
剪切带（CT）: ￥3.46000,卷带（TR）: ￥0.97295
产品状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 800mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 400 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 4-Microfoot
封装/外壳: 4-XFBGA，CSPBGA

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SI8853	首天国际（深圳）科技有限公司	500	-	-	最新批号	原装现货	询价
SI8800EDB-T2-E1	首天国际（深圳）科技有限公司	1000	Vishay Siliconix	原厂封装	16+/17+	-	询价
SI8800EDB-T2-E1	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	Vishay Siliconix	原厂封装	16+/17+	-	询价

厂商	型号	描述	页数	下载
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VISHAY	SI8451DB	P-Channel 1.5-V Rated MOSFET	9 页
VISHAY	SI8445DB	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	9 页
VISHAY	SI8435DB	P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET	8 页
VISHAY	SI8475EDB	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	12 页
VISHAY	SI8473EDB	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	12 页
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