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PDF资料 > SIRA36DP PDF资料

SIRA36DP

型号：SIRA36DP

描述：Macro Model (Sub-circuit Model)

厂商：VISHAY [Vishay Siliconix]

下载PDF

PDF大小：69.2 K

页数：4 页

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型号SIRA99DP-T1-GE3参数

Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
剪切带（CT）: ￥22.04000,卷带（TR）: ￥11.20784
产品状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47.9A（Ta），195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +16V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10955 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.35W（Ta），104W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK? SO-8
封装/外壳: PowerPAK? SO-8

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SIRAD2	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	Silicon Sensors Inc	Datasheet	07+	-	询价
SIRAD3	首天国际（深圳）科技有限公司	1000	Silicon Sensors Inc	Datasheet	07+	-	询价
SIRAD3	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	Silicon Sensors Inc	Datasheet	07+	-	询价

厂商	型号	描述	页数	下载
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