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H556

型号：H556

描述：NPN SILICON TRANSISTOR

厂商：HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

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PDF大小：93.11 K

页数：1 页

型号	供应商	数量	厂商/品牌	封装	批号	说明	联系
H556	首天国际（深圳）科技有限公司	1000	Shantou Huashan Electronic Devices	Datasheet	06/07+	-	询价
H556	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	Shantou Huashan Electronic Devices	Datasheet	06/07+	-	询价
H556001	首天国际（深圳）科技有限公司	1000	原装原厂	PDF参考	0720+	-	询价
H556001	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	原装原厂	PDF参考	0720+	-	询价
H5560BSCJ	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	-	-	08/09+	-	询价
H5560BSCJ	首天国际（深圳）科技有限公司	1000	-	-	08/09+	-	询价

厂商	型号	描述	页数
PULSE	H5578FNL	MDL,SIN,1GD,1:1,SM,TU	3 页
PULSE	H553	1000Base-T, Single Port Magnetics Modules	2 页
PULSE	H551	LAN DISCRETE TRANSFORMER MODULES	12 页
NAINA	H55TB	Phase Control Thyristors, 56A (Stud and Lead Type)	2 页
HUASHAN	H5551	NPN SILICON TRANSISTOR	1 页
HUASHAN	H558	NPN SILICON TRANSISTOR	2 页
HUASHAN	H557	NPN SILICON TRANSISTOR	2 页
HYNIX	H55S5162DFR-A3M	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O	55 页
HYNIX	H55S5162DFR-75M	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O	55 页
HYNIX	H55S5162DFR-60M	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O	55 页
HYNIX	H55S2562JFR-A3M	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O	52 页
HYNIX	H55S1262EFP-A3M	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O	54 页
HYNIX	H55S2562JFR-75M	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O	52 页
HYNIX	H55S1262EFP-75M	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O	54 页
HYNIX	H55S2562JFR-60M	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O	52 页

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